影響離子束濺射均勻性的因素

  離子束濺射產生的薄膜厚度均勻性是成膜性質的重要指標，因此有必要研究影響離子束濺射均勻性的因素，以便更好地實現離子束濺射均勻涂層。簡單地說，離子束濺射是在正交電磁場中，封閉的磁場束縛著電子在靶線周圍移動，在運動過程中不斷撞擊工作氣體，氬氣電離了大量氬離子。氬離子在電場作用下加速目標轟擊，濺射中性靶原子（或分子）沉積在基板上形成薄膜。因此，為了實現均勻的涂層，需要均勻地濺射靶原子（或分子），這需要均勻的氬離子。由于氬離子在電場作用下加速了目標的轟擊，因此均勻的轟擊在很大程度上取決于電場的均勻性。氬離子來自工作氣體氬氣，它們受到運動中封閉磁場的束縛，這需要磁場和工作氣體氬氣的均勻性。在實際的離子束濺射裝置中，這些因素是不均勻的，因此有必要研究它們對成膜均勻性的影響。

磁場影響不均勻。

  由于實際離子束濺射裝置中的電場和磁場不均勻或正交，它們都是空間函數。三維運動方程的表達式無法解決，至少沒有初始函數的解決方案。因此，很難計算磁場不均勻對離子的影響，即對成膜不均勻的影響。一個好的方法是配合實驗的具體分析。

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