原子層沉積設備介紹

原子層沉積設備的技術是將至少兩個氣相前驅物種連續引入加熱反應器襯底，自動終止化學吸附過程，直至表面飽和。適當的工藝溫度阻礙了表面分子的物理吸附。基本的原子層沉積循環包括脈沖A、清洗A、脈沖B和清洗B四個步驟。沉積循環重復，直到獲得所需的薄膜厚度，是制作納米結構形成納米設備的優良工具。

原子層沉積設備是以單原子膜的形式逐層涂覆材料的一種方法，是制備薄膜材料的重要方法之一。其特點是自限性，這也決定了原子層沉積技術具有厚度高、可控性好、均勻性好、保形性好等優點，特別擅長高深寬比圖形填充。該技術已成為制備各種功能膜的重要手段。突破了前驅物體運輸系統控制技術、反應室熱場流場控制技術、等離子體生產控制技術、脈沖射頻快速調頻匹配技術、高效無損原位清洗技術、軟件控制技術等關鍵技術和知識產權的核心技術優勢。開發了兩種沉積設備，即等離子體增強原子層沉積(PEALD)、可沉積Oxide、HFO2/Aletaletal、PE-SiN)、PE-SiN等。原子層沉積設備的涉及的領域包括：半導體領域:晶體管格柵極電介質層(高k材料)、光電元件涂層、晶體管擴散基層和互聯基層(防止摻雜劑遷移)、有機發光顯示反濕涂層和膜電致發光元件等。納米技術領域:空心納米管、隧道勢壘層、光電電池性能、納米孔尺寸控制、納米催化、高寬比納米圖形、微機電系統(MEMS)反靜阻涂層等。