反應(yīng)離子刻蝕機(jī)原理是將10~100MHZ高頻電壓置于平板電極之間能在試樣之前產(chǎn)生幾百微米厚的離子層。當(dāng)化學(xué)腐蝕時(shí)，離子以一種高速碰撞方式完成化學(xué)反應(yīng)腐蝕。所以，為了得到高速、垂直腐蝕表面，大多數(shù)加速離子都無(wú)法與其它氣體分子碰撞，從而直接沖擊試件。要實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，就需要優(yōu)化諸如真空、氣體流量、離子加速電壓等參數(shù)，同時(shí)要得到高密度等離子體，還需要通過(guò)磁場(chǎng)提高處理能力。

根據(jù)國(guó)內(nèi)RIE腐蝕系統(tǒng)的研發(fā)與生產(chǎn)需要，可提供多種型號(hào)。

反應(yīng)離子刻蝕機(jī)參數(shù)：

1.鋁材料或不銹鋼腔。

2.不銹鋼箱。

3.腐蝕硅(~400A/min)或金屬。

4.射頻源：陽(yáng)極化射頻板較高12度。

5.雙刻蝕容量：RIE和等離子腐蝕。

6.風(fēng)力電梯。

7.手動(dòng)/自動(dòng)安裝。

8.預(yù)抽真空室。

9.計(jì)算機(jī)控制。

10.選擇ICP源和平臺(tái)低溫冷卻導(dǎo)致深硅腐蝕。

選擇反應(yīng)離子刻蝕機(jī)

1.采用各向同性腐蝕高密度等離子體。

2.ICP等離子源，2KWRF電源和調(diào)諧器。

3.低溫基底冷卻。

4.檢查終點(diǎn)。

5.1KW射頻電流源和調(diào)諧器。

6.低頻電流源和調(diào)諧器。

  以上就是小編為大家介紹的反應(yīng)離子刻蝕機(jī)的全部?jī)?nèi)容，感謝大家耐心的閱讀！