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離子束濺射

離子束濺射

使用離子源,將靶材(金屬或電介質)沉積或濺射到基片上,以形成金屬或電介質膜。因為離子束是等能的(離子具有相等的能量),且高度準直,所以與其他PVD(物理氣相沉積)技術相比,其能夠精確地控制厚度,并沉積非常致密的高質量薄膜。

   

v  功能特點

ü  本底真空-8Torr-10Torr

ü 四軸樣品臺,XYZ方向均可調節,可傾斜,可旋轉

ü  多靶位靶材臺,帶水冷,支持多4個靶位,可旋轉切換靶位

ü  RFICP射頻離子源

ü霍爾或考夫曼輔助離子源

ü  雙掩膜Dual mask

ü  UpStream/Downstream控制

ü  膜厚監控儀

ü  可增加OES等離子發射光譜儀定性分析等離子成分

ü  可增加RGA四極質譜儀

ü  可集成磁控濺射陰極,實現磁控濺射鍍膜功能

ü  可增加進樣室,手動/自動上下片基片

ü  可實現離子束沉積、離子束刻蝕和磁控濺射多功能系統

(可根據客戶要求定制)

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